眾所周知，靶材材料的技術(shù)發(fā)展趨勢與下游應用 產(chǎn)業(yè)的薄膜技術(shù)發(fā)展趨勢息息相關(guān)，隨著應用產(chǎn)業(yè)在薄膜產(chǎn)品或元件上的技術(shù)改進，靶材技術(shù)也應隨之變化。如Ic制造商．近段時間致力于低電阻率銅布線的開發(fā)， 預計未來幾年將大幅度取代原來的鋁膜，這樣銅靶及其所需阻擋層靶材的開發(fā)將刻不容緩。另外，近 年來平面顯示器（F P D）大幅度取代原 以陰極射線管（CRT）為主的電腦顯示器及電視機市場．亦將大幅增 加ITO靶材的技術(shù)與市場需求。此外在存儲技術(shù)方面。高密度、大容量硬盤，高密度的可擦寫光盤的需求持 續(xù)增加． 這些均導致應用產(chǎn)業(yè)對靶材的需求發(fā)生變化。下面我們將分別介紹靶材的主要應用領(lǐng)域，以及這些領(lǐng)域靶材發(fā)展的趨勢。 在儲存技術(shù)方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的 T b F e C o合金靶材還在進一步發(fā)展，用它制造的磁光 盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特 點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 層復合膜結(jié)構(gòu)， T bF eCo/AI結(jié)構(gòu)的Kerr 旋轉(zhuǎn)角達到5 8，而T b F e Co f F a 則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)， 低磁導率的靶材高交流局部放電電壓 l 抗電強度。

　　基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)顯示出顯著的商業(yè)化潛力,是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，不過,在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一,便是缺乏能夠生產(chǎn)可進一步調(diào)低復位電流的完全密閉單元。降低復位電流可降低存儲器的耗電量,延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬,這對于當前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費設備來說都是很重要的特征。（ 鋯粉廠家 ）